摘要: 目的 为进一步设计和研究2，4-二芳基-1，3-二硫戊环化合物提供可参考依据。方法 对合成的68个2，4-二芳基-1，3-二硫戊环化合物以POLYGEN软件中的GHARMn程序对其活性化合物的结构进行计算机分子模拟，根据所得化合物的能量最低构象，计算了其VDW体积，偶极矩，总键能，总键角能，总非正则能以及硫原子电荷等值，将其结果作为结构参数分别与这些化合物的iNOS抑制活性进行相关分析。结果 以逐步回归法建立了相关性方程：-logIC50=2.2847 0.1052X3 0.0589X6-0.0044X18(n=16,R=0.919466,S=0.711225,F=21.87605)。结论 二硫戊环类化合物的iNOS抑制活性与分子总键角能，分子总范德华能呈正相关，与二硫戊环2位芳基相连N原子电荷呈负相关。